独立行政法人 産業技術総合研究所
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2012年12月12日 プレスリリース
主な研究成果 		ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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2010年06月15日 プレスリリース
主な研究成果
試作したフィンFETの写真特性ばらつきが小さい22 nm世代フィントランジスタを作製
−特性ばらつきを大幅に低減できるトランジスタ作製技術を開発−
エレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2011年12月08日 プレスリリース
主な研究成果
立体型トランジスタのオン電流ばらつき要因図の一部14 nm世代立体型トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明
−14 nm世代以降のSRAMをはじめとする集積回路の歩留まり向上に貢献−
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス
2012年07月02日 主な研究成果
出版物
トランジスタの特性ばらつきの主要因を解明
SRAMをはじめとする集積回路の歩留まり向上に貢献
ナノエレクトロニクス研究部門
 情報通信・エレクトロニクス

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