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C60フラーレン誘導体電子ビームレジスト

特許第2860399号(出願1996.1)
関連特許(登録済み:国内3件)

1.目的と効果

 次次世代超LSI用のナノサイズ 解像度を有するC60フラーレン誘導体を用いた電子ビーム用レジスト技術を提供します。このレジストの特徴は、高感度であり、ナノサイズ解像度を持ちながら、かつエッチング耐性に優れていることにあります。
[適用分野]
 ●シリコン超微細加工用電子ビームレジスト

2.技術の概要、特徴

 電子ビームによる極微細パターン形成には、電子線感応材料-レジスト材料の特性が決め手となります。C60フラーレンが1nm以下と小さい感応材料であることに着目し、有機化学的に機能化することで、解像度とエッチング耐性に優れたナノレジストを開発しました。
 具体的には、C60フラーレンが10nmの高解像度と高いドライエッチング耐性を持つ電子線レジストであることを発見し、このC60フラーレンに側鎖を付加し、メタノフラーレンとよばれる誘導体に機能化することで、感度を2桁近く向上させ、スピンコートを可能にするなど、レジストとしての特性を大幅に改良し、現在実用レベルに至っています。エッチング耐性についても、ドライエッチ耐性が高い電子線レジストとされるシップレイ社のノボラック系電子線レジストSAL600シリーズよりも2倍以上の耐性を有しています。

3.発明者からのメッセージ

 技術の状態としてすでに実用化レベルにあります。サンプルの提供もMTA締結後可能です。また、さらなる性能の向上を目指して共同研究先も求めています。

図1  図2

●図1:メタノフラーレン

●図2:メタノフラーレンレジストを用いた電子線描画により形成したナノパターン


次世代半導体研究センター
PDF(178.4KB:AIST TODAY Vol.2 No.12 p.35)

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