English

 

お知らせ

2016/11/04

TIAパワーエレクトロニクス研究拠点 6インチ SiC 新ラインが稼働開始

 TIAパワーエレクトロニクス研究拠点に平成27年11月より構築を進めていた、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイスの量産開発を可能とする新ラインが完成し、稼働を開始しました。6インチ級の大型ウエハーのプロセスを実現したオープンイノベーション拠点としては、世界初となります。

 このラインは、国立研究開発法人 産業技術総合研究所(以下「産総研」という)と住友電気工業株式会社(以下「住友電工」という)の両者が相互に連携し竣工しました。基礎研究から一歩進め、世界最先端・最速のSiCパワー半導体の量産技術、信頼性評価技術、品質評価技術の開発を可能とするもので、SiCパワー半導体の実用化・本格普及による社会イノベーションの推進が期待されます。

 当該新ラインを用い、産総研と住友電工は、将来にわたってトップレベルの研究開発を行って参ります。加えて、「TIAパワーエレクトロニクス研究拠点」の最先端ラインとして、パワエレ産業創出に向けて、我が国産業界が広く利用可能なプラットフォームとして運用してゆく予定です。


<新ラインの主な仕様>

名 称: TIAパワーエレクトロニクス研究拠点6インチライン
場 所: 産総研つくば西事業所 7 群(スーパークリーンルーム研究棟)
面 積: クリーンルーム面積  1500 m2
     付帯設備等      1500 m2
仕 様: 6インチシリコンカーバイド(SiC)パワー半導体デバイス量産試作ライン


▲ ページトップへ