国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）エレクトロニクス・製造領域【領域長 金丸 正剛】とTIA推進センター【センター長 三木 幸信】は、国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構（以下「NEDO」という）が開始する「IoT技術開発加速のためのオープンイノベーション推進事業（平成28～29年度）」（本事業）に参画し、IoT（Internet of Things）デバイス・システムの開発及び試作を行うための設計・製造の基盤となる拠点を、TIAの設備を活用し迅速に整備します。IoT産業への参入を目指す中小ベンチャー企業や、デバイスを試作するための設備を持たない企業、IoTデバイスの基盤的な技術の開発を目指す大学及び公的研究機関のためのオープンイノベーション拠点として機能することで、我が国のIoT技術開発加速への貢献を目指します。また、本拠点を活用する6つの研究開発プロジェクトがスタートします。
なお、この拠点の詳細を、2016年10月4～7日に幕張メッセ（千葉県千葉市美浜区）で開催されるCEATEC JAPAN 2016で展示します。
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IoT技術の研究開発のためのオープンイノベーション拠点のイメージ |
今後、我が国の経済再生の鍵となるIoT産業の拡大のためには、これまでエレクトロニクス産業の中心で活躍してきた企業だけでなく、IoT事業への参入に興味を持っている企業や、食品・ヘルスケア分野などといった非エレクトロニクス産業の企業の参入を促していくことが重要です。これらの企業は、IoTデバイスの設計や作製のための設備を保有していることは少なく、専門人材も社内にはいないことが多い上に、半導体関連の設備は投資額も高く、必要な設備・人材を得ることは容易ではありません。これらは、新たにIoT事業に参入するためのボトルネックとなっています。
産総研では、これまでTIA推進センターを中心にオープンイノベーション拠点としてスーパークリーンルーム（SCR）や、共通基盤プラットフォームの共用施設ネットワークとしてナノプロセシング施設（NPF）等を運営してきました。
SCRは、300 mmウエハー対応の半導体製造装置を用いた研究開発拠点として、革新的なナノデバイスの研究開発、次世代の半導体微細加工・評価技術の開発およびフォトニクス・エレクトロニクスの融合研究など、最先端の研究開発を行っています。これまでも、NEDOプロジェクトによる拠点利用などを通じて、国内外の産業界や大学、研究機関から多数の研究者が集まったオープンイノベーション拠点として運営を進めてまいりました。 また、NPFは、進歩の速いナノテクノロジー研究に迅速に対応するために、SCRでは扱うことのできない新材料や小口径ウエハーのデバイスプロセスを用いた試作を行うことができる拠点として、SCRと相補的に運用されてきました。
IoT社会の実現に向けて、あらゆるモノに搭載されるIoTデバイスは、低消費電力性、小型化、セキュア性の追求が必要不可欠で、論理回路、メモリー、センサー、MEMSデバイス、RF モジュール等をワンチップ化する集積技術が鍵となります。これまでの半導体デバイスでは、半導体の一つのチップに微細化技術を用いて集積化する方法が主流でした。一方、IoTデバイスのように上述したモジュールの集積化が必要な場合には、低消費電力化のために、これらの回路を立体的に重ね合わせて配線を最短化する3次元実装技術による集積化技術が必要になり、新しく設計・製造基盤を構築しなければなりません。
IoT事業参入に関心を持っている中小企業やベンチャー企業、自社で半導体デバイスの試作・製造ラインを持たない企業や、IoTデバイスの基盤的な技術の開発を目指す大学・公的研究機関が、IoTデバイス・システムのアイデアを、サンプル試作を経て量産化に繋げる事業化プロセスを支援するための設計・製造拠点を、TIA（SCR、NPF）に構築します。特に、省エネルギー・省スペースが必要とされるIoTデバイスの開発には、異なる機能を持つモジュールチップを、ウエハーを3次元積層するなどして、実装・システム化する技術が重要です。本拠点整備事業では、産総研の既存設備をベースに上記技術に必要な装置群を迅速に整備し、TIA共用施設（SCR、NPF）の機能を更に強化します。
また、拠点整備と並行して、IoT技術開発加速のための6つの実用化研究開発プロジェクトがスタートします。
①IoTセンシングに向けたマルチスペクトラム赤外イメージングシステムの開発（アイアールスペック株式会社、京セミ株式会社）
②ビッグデータ解析のための低消費電力演算チップの開発（ウルトラメモリ株式会社、株式会社PEZY Computing）
③IoTネットワークインターフェースデバイス製造技術の開発（日本電信電話株式会社、NTTエレクトロニクス株式会社）
④燃焼式水素ガスセンサーチップの開発（株式会社ピュアロンジャパン）
⑤プラズモニックセンサー及びIoTデバイスを用いたセンシングシステムの開発（キッコーマン株式会社）
⑥高効率な極小RFIDタグの開発による省電力化の実現（株式会社エスケーエレクトロニクス）
この6つのプロジェクトでは、TIAの既存共用施設と、本事業で整備する施設を最大限に活用して、低消費電力性・小型・セキュア性・超並列性等の特徴を持ったIoTデバイスの研究開発を行います。
また、整備された拠点を多くの事業者に利用されることを目指します。
IoT技術は、今まさに世界的な競争が激化している分野であり、開発した技術の迅速な実用化が望まれています。本事業によって整備される拠点を産学官が連携して活用し、研究開発を進めることで、我が国のIoT産業の発展を加速する効果が期待されます。また、産総研拠点を利用する6テーマのプロジェクトでは、研究開発終了後、2年から5年の間に実用化される技術を扱い、2020年前後の事業化をターゲットにして研究開発を進めます。産総研拠点は、これらの企業との開発を皮切りに、整備した拠点の多くの利用を呼び込む予定です。また、これらの研究開発において創出された基盤技術や知的財産・ノウハウ等を蓄積していく集積効果に加え、産総研が有する他分野の技術と融合して新たなIoTデバイス技術を継続的に創出していきます。