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2015研究ハイライト 超低消費電力の電圧書込み型不揮発性メモリ「電圧トルクMRAM」の原理を考案し、実証

注目ポイント

産総研は、磁気トンネル接合素子における低消費電力な書き込み手法として期待されている「電圧書込み」について、実用化に必要な書込みエラー率を低減実現する道筋を明らかにしました。

実証したで電圧トルクMRAMの原理イメージ図と特性


今回、電圧書込み方式の安定動作を実証し、また書き込みエラー率を低減させる方法を開発いたしました。さらに、実験結果を再現できる計算シミュレーションを用いて、減衰の強さの低減と記録保持性能の向上、あるいは書込み後、エラーが起きたら再度書き込みを行うなどの実行により、低いエラー率を実現できる可能性があることを示しました。

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本研究テーマに関するお問合せ先

塩田研究員の写真  
スピントロニクス研究センター 電圧スピントロニクスチーム 研究員 塩田 陽一(しおた よういち)

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 中央第2
TEL:029-861-5433(研究センター代表)


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