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2015研究ハイライト SiC 耐圧3.3kVスイッチングトランジスタの作製プロセス構築

注目ポイント

家電や自動車、各種産業機器に使われるインバーターなどのさらなる発展を目指し、実用的な信頼性を満足させる耐電圧の高いSiCスイッチングトランジスタの作製プロセスを構築しました。

SiC 3.3kVスイッチングトランジスタの試作に使用した微細描画装置群

SiC 3.3kVスイッチングトランジスタの試作に使用した微細描画装置群

 

プレーナタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの耐圧特性   トレンチタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの構造
プレーナタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの耐圧特性   トレンチタイプSiC 3.3kVスイッチングトランジスタの構造



SiC半導体のウエハ製造・加工技術からパワー素子の開発、さらにその素子性能を充分に生かせる回路・実装・制御からなるパワーエレクトロニクス統合化技術へと開発を進め、作製プロセス構築など、各種課題で実用化に直結する成果を得ました。自動車等のユーザー企業と、材料メーカー、加工メーカー、デバイスメーカー、装置メーカーが一貫連携して取り組む民活型オープンイノベーション共同研究体の枠組みの中で、国プロ成果等をベースにした実用化研究開発を加速しています。昨今、SiCインバーター製品が社会に使用され始め、鉄道車両、自動車、太陽光発電を中心に各種用途拡大が進んでいます。

 

関連リンク


本研究テーマに関するお問合せ先

畠研究センター長の写真  
先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究センター長 奥村 元(おくむら はじめ)

〒305-8568 茨城県つくば市梅園1-1-1 つくば中央第2

E-mail:adperc_info-ml*aist.go.jp(*を@に変更して送信下さい。)
TEL:029-861-5050
Web:https://unit.aist.go.jp/adperc/ci/


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