> 概要
表面分析に用いられるGaAs/AlAs超格子認証標準物質を開発した。薄膜や多層膜構造は半導体を始めとする種々の先端材料に利用される。表面分析法は、このような材料の評価・解析に欠かせない方法であるが、分析領域が極表面に限られるために、深さ方向の状態を知るには表面をイオンエッチングという方法で少しずつ削り取りながら測定を行う方法が用いられる。このとき、深さ方向は時間で表されるため、実際の深さ（厚さ）と対応させるためには、厚さが分かっている層状の試料と比較する必要がある。また、微細な深さ方向の情報を調べるとき、利用している装置がどの程度の深さ情報の分解能を持っているか知るためにも界面が十分に急峻な層状の試料が必要になる。ここで開発された標準物質は、このような目的に適用するために開発されたもので、４層（一層が約23nm）の構造を持ち、厚さが認証値として、界面の粗さが参考値として付与されたものである。厚さの不確かさも約0.3nm と極めて小さく原子レベルの精確さを保証している。厚さが長さスケールで記述され、界面の情報が付与された標準物質は世界で初めてである。
Abstract
A certified reference material of GaAs/AlAs superlattice has been developed for surface chemical analysis. Thin films as well as multilayered films are artifical materials fabricated that achive or modify some specific physical properties and can be applied to various advanced materials such as semiconductor devices, magnetic multilayers, otical mirros, X-ray mirrors, etc. Depth profiling by ion sputtering in surface chemical analysis is one of the most popular techniques to reveal layered materials. Excellent depth resolution on the nm level requires the use of a high quality reference material such as a superlattice which is suitable for the optimization of sputter depth profiling. The certified reference material consists of 4 layers whose thicknesses ( 〜 23nm) are certified with an accuracy of about 0.3nm and, in addition, whose interface roughness and surface oxide thickness are given as reference data.
